(圖/ 中華超傳媒 AI圖片)
聯電攜手SILITH完成1.6T矽光子晶圓量產 AI光互連布局再跨一步
聯電與新加坡SILITH完成首批1.6T矽光子晶圓量產交付，象徵雙方合作正式邁入量產階段，也為AI資料中心高速光互連技術發展建立新的製造里程碑。
聯電宣布，新加坡12吋晶圓廠已完成首批矽光子晶圓量產交付，雙方歷時18個月完成從平台開發到正式量產的導入流程。此次合作整合聯電12吋晶圓製造能力與SILITH矽光子設計技術，支援每秒1.6太位元（1.6T）光互連解決方案的量產需求，以因應AI運算及超大規模資料中心持續提升的高速傳輸需求。
18個月完成量產導入 建立可擴充製造平台
此次合作結合SILITH矽光子架構、聯電製程整合能力以及絕緣層上覆矽（SOI）製造技術，在18個月內完成量產平台建置。聯電表示，目前平台已具備量產所需的良率與可靠度，並完成全球領先雲端基礎設施客戶認證，可支援後續大規模生產與部署，同時建立可持續擴充的矽光子製造平台，作為未來高速光通訊產品的重要基礎。
AI帶動高速光互連需求 矽光子成關鍵技術
隨著生成式AI與大型資料中心快速發展，高頻寬、低功耗的光互連需求持續提升，矽光子技術逐漸成為新一代資料中心的重要基礎。SILITH技術長Jason Zhang表示，AI應用正快速推升光學頻寬需求，公司持續布局可插拔光模組、共封裝光學（CPO）及光學I/O等技術架構，透過與聯電合作，結合矽光子設計與12吋晶圓量產能力，希望提供兼具效能、擴充性及成本效益的新世代AI光網路解決方案。
聯電強化矽光子製造能力 擴展光子技術布局
聯電指出，新加坡晶圓廠除了具備12吋晶圓量產能力，也是重要技術研發據點，因此能協助客戶快速完成量產導入。聯電資深副總經理洪圭鈞表示，此次合作展現聯電在矽光子等跨領域技術的製程整合能力，也驗證支援客戶規模化量產的實力。未來將持續提升製造能力，配合客戶需求，加速推動下一代光子應用發展。
規劃2027年推出自有平台 布局400G高速光互連
除完成首批量產之外，聯電也規劃於2027年推出自有12吋矽光子平台，提供更多客戶進行產品開發與量產導入。雙方目前正持續擴展技術藍圖，由現行每通道200G進一步朝400G高速光互連發展，採用高速馬赫－曾德爾調變器（MZM）架構，兼顧高速傳輸能力、CMOS製程相容性、量產可擴充性與成本效益，作為下一代AI網路的重要技術方向。
布局鈮酸鋰薄膜技術 打造下一代AI基礎建設
除了矽光子平台之外，聯電也同步攜手生態系合作夥伴，投入鈮酸鋰薄膜（TFLN）技術開發，以因應未來超高頻寬光互連需求。聯電表示，未來將結合先進封裝技術，整合矽光子與鈮酸鋰薄膜兩大技術平台，支援共封裝光學（CPO）及光學I/O等高度整合架構，持續布局下一代AI基礎建設所需的高速光通訊解決方案。
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(文/ 記者 曾知遠)
