記者梁少珊/台北報導
根據集邦調查顯示，自2021年第四季起受部分消費性電子需求走弱影響，導致記憶體價格進入下跌走勢。加上高通膨、俄烏戰事與防疫封控的衝擊，旺季不旺，致使庫存壓力已由買方端延伸至原廠。為因應前述情況，美光（Micron）上週已宣告減產DRAM與NAND Flash，為首家正式下調產能利用率的記憶體大廠。NAND Flash方面，市況相較DRAM更嚴峻，隨著主流容量wafer合約均價已跌至現金成本，逼近各原廠虧損邊緣，鎧俠（Kioxia）繼美光後也公告自10月起減少NAND Flash產能利用率達30%。
DRAM方面，目前的合約價格仍高過於各主流供應商的總生產成本，因此與NAND Flash相較，尚待觀察是否會有大幅減產的情形出現。美光除了提及當前在該領域有微幅下調產能利用率外，主要在強調2023年度資本支出的大幅下修，以及明年度DRAM生產位元年成長僅有約5%。集邦認為，依照美光的說法，要達到如此保守的位元成長，代表產能利用率還有大幅下修空間，後續減產的執行程度仍待觀察。
NAND Flash方面，美光原定自今年第四季起逐步放大232層產品比重，然隨著調降產能利用率決策落實，預估2023年美光主流製程仍會以176層為主，同時舊製程投片亦將隨之減少。鎧俠及威騰電子（WDC）原計畫在今年第四季起轉進至162層產品，然由於威騰對2023年資本支出表露放緩態度，在資金難以到位且需求能見度差的情況下，將大幅降低162層產品比重，無法達成原先於2023年取代112層產品成為主流的計畫。
不排除更多原廠限縮位元產出，大規模減產才能扭轉2023年供需劣勢
從2023年記憶體供需態勢分析，由於需求展望保守，因此DRAM與NAND Flash在各季度皆呈現大幅度供過於求狀態，2023上半年的庫存壓力將持續快速升高。DRAM領域，在美光率先宣布DRAM減產規劃將遠低於供給位元成長的歷史水位後，2023全年DRAM供過於求比例（Sufficiency Ratio）將由TrendForce原先預估的11.6%，收斂至低於10%，有助於改善快速惡化的庫存壓力，不過後續仍仰賴更多供應商加入DRAM實質減產行為，才能扭轉明年供需劣勢。
NAND Flash領域由於競爭者眾多，且製造方面未有逼近物理極限的限制，故收斂供給位元是當務之急。在美光、鎧俠供給位元成長皆下修的情況下，2023全年NAND Flash供過於求比例將由原先預估的10.1%，大幅下降至5.6%，在更多NAND Flash供應商在虧損考量加入減產行列的預期下，庫存壓力可望在2023年第二季有所緩解，而價格跌幅預計在2023下半年出現收斂。
