台北2021年11月12日 /美通社/ — 宜普電源轉換公司（EPC）是增強型矽基氮化鎵（eGaN®）功率場效應電晶體和IC的全球行業領先供應商，其eToF™雷射驅動器IC（EPC21601）在2021全球電子成就獎（WEAA）評選中，榮獲年度功率半導體/驅動器大獎。
全球電子成就獎旨在評選並表彰對推動全球電子產業創新做出傑出貢獻的企業和管理者，以及在業界處於領先地位的產品。由ASPENCORE全球資深產業分析師組成的評審委員會和全球網站用戶群進行綜合評定，共同評選出得獎者。ASPENCORE主辦的全球高科技領袖論壇-全球CEO峰會和全球電子成就獎頒獎典禮在2021年11月3日於深圳舉行。
宜普電源轉換公司首席執行長暨共同創辦人Alex Lidow博士說：「我謹代表EPC團隊感謝ASPENCORE團隊和所有投票者，支持eToF雷射驅動器IC（EPC21601）以獲得享有盛譽的全球電子成就獎。我們的氮化鎵IC技術的最新發展針對改變飛行時間光達系統的設計方式，在單晶片上整合氮化鎵場效應電晶體（eGaN®FET）和驅動器，可實現功能強大、速度超快的積體電路，從而實現尺寸更小、成本更低的飛行時間（ToF）光達系統以在消費類應用中，更普遍被採用。」
eToF™雷射驅動器IC（EPC21601）在單晶片上整合了40 V、10 A 場效應電晶體、閘極驅動器和3.3 V邏輯電平輸入，針對飛行時間（ToF）光達系統，用於機器人、監控保安系統、無人機、全自動駕駛車輛和吸塵器。
EPC21601能够在超過100 MHz的超高頻率和低於2 ns的超短脉衝下，調製並實現高達10 A的雷射驅動電流。開啓和關閉時間分別為410 ps和320 ps。
EPC21601整合了基於EPC專有的氮化鎵IC技術的單晶片驅動器和氮化鎵場效應電晶體，採用晶片級BGA封裝，其外型尺寸僅為1.5 mm x 1.0 mm。由於外型小巧且整合了多個功能，因此與採用等效多晶片離散元件的解决方案相比，其佔板面積小36％。
宜普電源轉換公司是基於增強型氮化鎵（eGaN®）功率管理元件的領先供應商，其氮化鎵場效應電晶體及IC的性能比最好的矽功率MOSFET高出很多倍，目標應用包括直流- 直流轉換器、光達（LiDAR）、用於eMobility、機器人和無人機的馬達控制器，以及低成本衛星等應用。此外，宜普電源轉換公司繼續擴大基於eGaN IC的產品系列，為客戶提供進一步節省佔板面積、節能及節省成本的解決方案。詳情請訪問我們的網站（www.epc-co.com.tw ）、LinkedIn, YouTube, Facebook, Twitter, Instagram或觀看優酷視頻。eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉換公司的註册商標。
